Kristallographie

Von der präzisen Kristallzüchtung bis zur Charakterisierung auf atomarer Ebene: Fortschrittliche Röntgenbeugung und In-situ-Oberflächenmikroskopie

Die Kristallographie-Einrichtung bietet eine umfassende Infrastruktur für die Synthese und Strukturanalyse von Einkristallen, polykristallinen Materialien und Dünnschichten. Durch die Kombination verschiedener Kristallzüchtungstechniken – darunter Czochralski-, hydrothermale und Travelling-Heater-Verfahren – mit hochauflösender Röntgendiffraktometrie und spezialisiertem hydrothermalem AFM ermöglichen wir die Untersuchung von Phasenidentitäten, Mikrostrukturen und Oberflächendynamiken unter kontrollierten Umgebungsbedingungen.

Röntgendiffraktometer

Zimmer
C 220, C 221, C 227
Verantwortlich
SoHyun Park, Giacomo Criniti
Zugangsbestimmungen
nach vorheriger Vereinbarung
Anwendung
Hochauflösende Beugungsdaten von Einkristall-, feinkristallinen, amorphen und Dünnschichtproben werden für die Phasenidentifizierung und quantitative Phasenanalyse sowie für die Atom- und Mikrostrukturanalyse bereitgestellt.
  1. Individuelle Bildbeschreibung optional
  2. Zwei Mehrzweck-Röntgenpulverdiffraktometer (XRD3003 TT, GE) und ein STOE-Gerät (STADI P, STOE) sind mit zwei Strahlungsoptionen für Cu- und Mo-Röhren in Reflexions- bzw. Transmissionsgeometrie ausgestattet.

Ein Einkristall-Röntgendiffraktometer (Rigaku-Oxford Diffraction) ist mit einem Dualsystem (Cu und Mo) und einer 2k-CCD-Kamera (GEMINI) ausgestattet. Ein N2-Kryostat und Hochtemperatur-Probenumgebungen sind verfügbar.

© Copyright optional

Zwei Mehrzweck-Röntgenpulverdiffraktometer (XRD3003 TT, GE) und STOE (STADI P, STOE) sind mit zwei Strahlungsoptionen für Cu- und Mo-Röhren in der jeweiligen Reflexions- und Transmissionsgeometrie ausgestattet.

© SoHyun Park

Rasterkraftmikroskopie (AFM)

Zimmer
C 217
Ansprechpartner
Guntram Jordan
Zugangsbestimmungen
nach Vereinbarung
Anwendung
Es stehen zwei Rasterkraftmikroskope zur Verfügung, ein JPK-NanoWizard II und ein Hydrothermal AFM (HAFM). Das NanoWizard ermöglicht die hochauflösende In-situ-Mikroskopie der Topografie von Oberflächen in Luft oder wässrigen Lösungen. Das Mikroskop ist mit einem Heiz-Kühl-Tisch ausgestattet, der Messungen zwischen etwa 0 und 30 °C ermöglicht. Das HAFM verfügt über eine Druckfluidzelle, die In-situ-Messungen bei Temperaturen bis zu 125 °C ermöglicht.
  1. Flüssigkeitszelle und optischer Kopf des hydrothermalen Rasterkraftmikroskops (HAFM).
  2. Glass cantilever holder of the JPK-NanoWizard II with a mounted silicon tip.

Flüssigkeitszelle und optischer Kopf des hydrothermalen Rasterkraftmikroskops (HAFM).

© Guntram Jordan

Glas-Auslegerhalterung des JPK-NanoWizard II mit montierter Siliziumspitze.

© Guntram Jordan

Kristallzüchtunglabor

Raum
C 224
Contact
Elena Sturm
Ausstattung
Czochralski-Kristallzüchtungsapparaturen (Hochvakuum)
Hochfrequenzgenerator (6 kW Klemmleistung)
Hochvakuumpumpstand (Öldiffusionspumpe) mit Gaseinlassmöglichkeit für H2, Ar (5.0) und N2 (5.0) für Materialvorbereitungdiverse Hochvakuumpumpstände
2 Hochdruckautoklaven zur Einkristallzüchtung unter hydrothermalenBedingungen mit Zweizonen-Heizung und Temperatur-Programmregelung
mehrere Einzonen- und Zweizonenöfen für Kristallzüchtung inKieselglasgefäßen
Temperöfen (bis 1600°C) mit Temperatur-Programmreglerndiverse Einzonen- und Mehrzonenöfen mit Temperatur-Programmreglern (Synthesen und Kristallzüchtung)v
ertikale THM-Züchtungapparatur (travelling heater method), ausgestattet für beschleunigte Tiegelrotationstechnik (ACRT)
Wärmeschränke mit Temperatur-Programmreglern für die Züchtung aus wässrigen Lösungen (Abkühlmethode)
Mehrkammer-Eintauchthermostat für die Züchtung aus wässrigen Lösungen (Verdampfungsmethode)
Zusätzliche Ausstattung
Kristallsägen (Diamantdrahtsäge, Funkenerosionssäge Drahtläppsäge)
Schleif- und Polierapparaturen zur mechanischen Oberflächenpräparation
Niederdruck-Autoklaven zur Synthese unter hydrothermalen Bedingungen
Transparenter farbloser Alaun-Kristall vor schwarzem Hintergrund

© Lina Seybold LMU

Das Kristallzüchtungslabor ermöglicht die kontrollierte Herstellung hochwertiger Einkristalle durch ein breites Spektrum an physikalischen und chemischen Verfahren. In dieser Forschungseinrichtung können Materialien sowohl aus der Schmelze als auch aus gasförmigen oder flüssigen Phasen gewonnen werden. Das technologische Spektrum reicht dabei von der klassischen Czochralski-Methode im Hochvakuum über die chemische Synthese in Autoklaven unter hydrothermalen Bedingungen bis hin zur präzisen Züchtung aus wässrigen Lösungen.

Durch den Einsatz spezialisierter Ofentechnik und variabler Gasumgebungen lassen sich komplexe Materialvorbereitungen und thermische Nachbehandlungen bei Temperaturen von bis zu 1600°C realisieren. Besondere Verfahren wie die Travelling-Heater-Method mit beschleunigter Tiegelrotation erlauben zudem die gezielte Beeinflussung der Kristallqualität während des Wachstumsprozesses. Über die reine Züchtung hinaus bietet das Labor die komplette Prozesskette der Probenpräparation an. Dies umfasst das hochpräzise Zersägen der Kristalle mittels Funkenerosion oder Diamantdraht sowie die mechanische Oberflächenbearbeitung durch Schleif- und Polierverfahren, um die Proben für anschließende physikalische Untersuchungen oder technische Anwendungen final vorzubereiten.